Çip bilen zynjyr tagtasynyň arasyndaky tapawut

Çip bilen zynjyr tagtasynyň arasyndaky tapawut:
Kompozisiýasy başga: Çip: Bu zynjyrlary miniatýurlaşdyrmagyň bir usulydyr (esasanam ýarymgeçiriji enjamlary, şol sanda passiw komponentleri we ş.m.) we köplenç ýarymgeçiriji wafleriň üstünde öndürilýär.Toplumlaýyn zynjyr: Kiçijik elektron enjam ýa-da komponent.
Dürli önümçilik usullary: çip: esasy gatlak hökmünde ýekeje kristal kremniy wafli ulanyň, soňra MOSFET ýa-da BJT ýaly komponentleri ýasamak üçin fotolitografiýa, doping, CMP we beýleki tehnologiýalary ulanyň, soňra sim ýasamak üçin inçe film we CMP tehnologiýalaryny ulanyň. çip öndürmek tamamlandy.
Toplumlaýyn zynjyr: Belli bir prosesi ulanyp, tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar, induktorlar we beýleki bölekler we zynjyrda zerur simler biri-birine bagly bolup, kiçi ýa-da birnäçe kiçi ýarymgeçiriji çiplerde ýa-da dielektrik substratlarda ýasalýar we soňra turbanyň içine gaplanýar. gabyk.

tanyşdyrmak:
Tranzistor oýlanyp tapylandan we köpçülikleýin öndürilenden soň, diodlar we tranzistorlar ýaly dürli gaty ýarymgeçiriji komponentler giňden ulanyldy, vakuum turbalarynyň zynjyrlardaky ornuny çalşypdy.20-nji asyryň ortalarynda we ahyrynda ýarymgeçiriji önümçilik tehnologiýasynyň ösüşi integral zynjyrlary mümkin etdi.El bilen ýygnamak zynjyrlaryndan tapawutlylykda aýratyn diskret elektron böleklerini ulanyň.
Toplumlaýyn zynjyrlar köp mukdarda mikrotransistorlary kiçi çipe birleşdirip biler, bu ägirt uly ösüş.Integrirlenen zynjyrlaryň köpçülikleýin öndürilmegi, ygtybarlylygy we zynjyr dizaýnyna modully çemeleşme, diskret tranzistorlary ulanýan dizaýnlaryň ýerine standartlaşdyrylan integral zynjyrlaryň çalt kabul edilmegini üpjün etdi.
Integrirlenen zynjyrlaryň aýratyn tranzistorlardan iki esasy artykmaçlygy bar: bahasy we öndürijiligi.Arzan bahasy, çipiň ähli komponentleriniň bir gezekde diňe bir tranzistor ýasamak däl-de, fotolitografiýa arkaly birlik hökmünde çap edilmegi bilen baglanyşyklydyr.
Performanceokary öndürijilik komponentleriň çalt çalyşmagy we az energiýa sarp edilmegi bilen baglanyşykly, sebäbi komponentler kiçi we biri-birine ýakyn.2006-njy ýylda çip meýdany birnäçe inedördül millimetrden 350mm² aralygynda bolup, her mm² bir million tranzistora ýetip bilýärdi.