Разлика између чипа и штампане плоче:
Састав је другачији: Чип: То је начин за минијатуризацију кола (углавном укључујући полупроводничке уређаје, укључујући пасивне компоненте, итд.), и често се производи на површини полупроводничких плочица.Интегрисано коло: мали електронски уређај или компонента.
Различите методе производње: чип: користите једнокристалну силиконску плочицу као основни слој, затим користите фотолитографију, допинг, ЦМП и друге технологије за израду компоненти као што су МОСФЕТ или БЈТ, а затим користите технологије танког филма и ЦМП за прављење жица, тако да производња чипова је завршена .
Интегрисано коло: Користећи одређени процес, транзистори, отпорници, кондензатори, индуктори и друге компоненте и ожичење потребни у колу су међусобно повезани, произведени на малом или неколико малих полупроводничких чипова или диелектричних супстрата, а затим упаковани у унутрашњу цев шкољка.
увести:
Након што је транзистор изумљен и масовно произведен, разне полупроводничке компоненте у чврстом стању као што су диоде и транзистори су се широко користиле, замењујући функцију и улогу вакуумских цеви у колима.Средином и крајем 20. века, напредак технологије производње полупроводника омогућио је интегрисана кола.Користите појединачне дискретне електронске компоненте за разлику од ручног склапања кола.
Интегрисана кола могу интегрисати велики број микротранзистора у мали чип, што је огроман напредак.Масовна производност интегрисаних кола, поузданост и модуларни приступ дизајну кола обезбедили су брзо усвајање стандардизованих интегрисаних кола уместо дизајна који користе дискретне транзисторе.
Интегрисана кола имају две главне предности у односу на дискретне транзисторе: цену и перформансе.Ниска цена је због чињенице да чип има све своје компоненте штампане као јединице фотолитографијом, уместо да се прави само један транзистор у исто време.
Високе перформансе су последица брзог пребацивања компоненти и мање потрошње енергије јер су компоненте мале и близу једна другој.У 2006. години, површина чипа се кретала од неколико квадратних милиметара до 350 мм², а сваки мм² могао је да достигне милион транзистора.
Време поста: 28. април 2023