ချစ်ပ်နှင့် ဆားကစ်ဘုတ်ကြား ကွာခြားချက်-
ပါဝင်မှုမှာ ကွဲပြားသည်- Chip- ၎င်းသည် passive အစိတ်အပိုင်းများ အပါအဝင် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ကိရိယာများ အပါအဝင် အဓိကအားဖြင့် ဆားကစ်များကို သေးငယ်အောင်ပြုလုပ်သည့် နည်းလမ်းဖြစ်ပြီး၊ မကြာခဏဆိုသလို semiconductor wafers များ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ထုတ်လုပ်ပါသည်။ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်း- သေးငယ်သော အီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာ သို့မဟုတ် အစိတ်အပိုင်းတစ်ခု။
ကွဲပြားခြားနားသောထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်းများ- ချစ်ပ်- အောက်ခြေအလွှာအဖြစ် crystal silicon wafer တစ်ခုတည်းကိုအသုံးပြုကာ၊ ထို့နောက် MOSFETs သို့မဟုတ် BJTs ကဲ့သို့သော အစိတ်အပိုင်းများပြုလုပ်ရန် photolithography၊ doping၊ CMP နှင့် အခြားသောနည်းပညာများကိုအသုံးပြုကာ ပါးလွှာသောဖလင်နှင့် CMP နည်းပညာများကိုအသုံးပြု၍ ဝါယာကြိုးများပြုလုပ်ရန်၊ Chip ထုတ်လုပ်မှု ပြီးစီးပါပြီ။
ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်- အချို့သော လုပ်ငန်းစဉ်ကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့်၊ ထရန်စစ္စတာများ၊ ခံနိုင်ရည်အား၊ ကာပတ်စီတာများ၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်းများနှင့် ဆားကစ်တစ်ခုရှိ လိုအပ်သော အခြားအစိတ်အပိုင်းများနှင့် ဝိုင်ယာကြိုးများကို သေးငယ်သော သို့မဟုတ် များစွာသော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ချစ်ပ်ပြားများ သို့မဟုတ် dielectric အလွှာများတွင် ထုပ်ပိုးကာ၊ ထို့နောက် ပြွန်အတွင်း၌ ထုပ်ပိုးထားသည်။ အခွံ။
မိတ်ဆက်
ထရန်စစ္စတာကို တီထွင်ပြီး အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်ပြီးနောက်၊ ဒိုင်အိုဒက်နှင့် ထရန်စစ္စတာကဲ့သို့သော အမျိုးမျိုးသော solid-state semiconductor အစိတ်အပိုင်းများကို ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုခဲ့ပြီး ဆားကစ်များရှိ လေဟာနယ်ပြွန်များ၏ အခန်းကဏ္ဍနှင့် အခန်းကဏ္ဍကို အစားထိုးခဲ့သည်။20 ရာစုအလယ်ပိုင်းနှင့်နှောင်းပိုင်းတွင်၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာတိုးတက်မှုသည်ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များဖြစ်နိုင်သည်။ဆားကစ်များကို ကိုယ်တိုင် တပ်ဆင်ခြင်း နှင့် ဆန့်ကျင်သည့် သီးခြား သီးခြား အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်းများကို အသုံးပြုပါ။
Integrated circuits များသည် microtransistor အများအပြားကို သေးငယ်သော ချစ်ပ်တစ်ခုအဖြစ် ပေါင်းစည်းနိုင်သည်၊ ယင်းသည် ကြီးမားသောတိုးတက်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များ၏ အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်နိုင်မှု၊ ယုံကြည်စိတ်ချရမှု၊ နှင့် circuit ဒီဇိုင်းအတွက် မော်ဂျူလာချဉ်းကပ်မှုသည် discrete transistors များကို အသုံးပြု၍ ဒီဇိုင်းများအစား စံချိန်စံညွှန်းပေါင်းစပ်ထားသော ဆားကစ်များကို လျင်မြန်စွာ လက်ခံရရှိစေမည်ဖြစ်သည်။
Integrated circuit များသည် discrete transistor များထက် အဓိက အားသာချက် နှစ်ခုရှိသည်- ကုန်ကျစရိတ်နှင့် စွမ်းဆောင်ရည်။ကုန်ကျစရိတ်နည်းပါးရခြင်းမှာ ချစ်ပ်တွင် တစ်ကြိမ်လျှင် transistor တစ်လုံးသာ ပြုလုပ်ခြင်းထက် photolithography ဖြင့် ယူနစ်တစ်ခုအဖြစ် ရိုက်နှိပ်ထားသော ၎င်း၏ အစိတ်အပိုင်းများ အားလုံးပါဝင်သောကြောင့် ဖြစ်သည်။
စွမ်းဆောင်ရည် မြင့်မားမှုသည် အစိတ်အပိုင်းများ တစ်ခုနှင့်တစ်ခု သေးငယ်ပြီး တစ်ခုနှင့်တစ်ခု နီးကပ်နေသောကြောင့် အစိတ်အပိုင်းများ အမြန်ပြောင်းခြင်းနှင့် စွမ်းအင်သုံးစွဲမှု နည်းပါးခြင်းတို့ကြောင့် ဖြစ်သည်။2006 ခုနှစ်တွင် ချစ်ပ်ဧရိယာသည် အနည်းငယ်စတုရန်းမီလီမီတာမှ 350mm²အထိရှိခဲ့ပြီး mm² တစ်ခုစီသည် ထရန်စစ္စတာတစ်သန်းအထိရောက်ရှိနိုင်သည်။
တင်ချိန်- ဧပြီလ ၂၈-၂၀၂၃