Perbezaan antara cip dan papan litar

Perbezaan antara cip dan papan litar:
Komposisinya berbeza: Cip: Ia adalah satu cara untuk mengecilkan litar (terutamanya termasuk peranti semikonduktor, termasuk komponen pasif, dsb.), dan selalunya dihasilkan pada permukaan wafer semikonduktor.Litar Bersepadu: Peranti atau komponen elektronik kecil.
Kaedah pembuatan yang berbeza: cip: gunakan wafer silikon kristal tunggal sebagai lapisan asas, kemudian gunakan fotolitografi, doping, CMP dan teknologi lain untuk membuat komponen seperti MOSFET atau BJT, dan kemudian gunakan teknologi filem nipis dan CMP untuk membuat wayar, supaya pengeluaran cip selesai.
Litar bersepadu: Menggunakan proses tertentu, transistor, perintang, kapasitor, induktor dan komponen lain serta pendawaian yang diperlukan dalam litar disambungkan bersama, dibuat pada cip semikonduktor kecil atau beberapa kecil atau substrat dielektrik, dan kemudian dibungkus di dalam tiub. cangkerang.

memperkenalkan:
Selepas transistor dicipta dan dihasilkan secara besar-besaran, pelbagai komponen semikonduktor keadaan pepejal seperti diod dan transistor digunakan secara meluas, menggantikan fungsi dan peranan tiub vakum dalam litar.Pada pertengahan dan akhir abad ke-20, kemajuan teknologi pembuatan semikonduktor menjadikan litar bersepadu mungkin.Gunakan komponen elektronik diskret individu berbanding dengan memasang litar secara manual.
Litar bersepadu boleh mengintegrasikan sejumlah besar mikrotransistor ke dalam cip kecil, yang merupakan kemajuan besar.Kebolehkilangan jisim litar bersepadu, kebolehpercayaan, dan pendekatan modular kepada reka bentuk litar memastikan penggunaan pantas litar bersepadu piawai dan bukannya reka bentuk menggunakan transistor diskret.
Litar bersepadu mempunyai dua kelebihan utama berbanding transistor diskret: kos dan prestasi.Kos yang rendah adalah disebabkan oleh fakta bahawa cip mempunyai semua komponennya dicetak sebagai satu unit oleh fotolitografi, dan bukannya membuat hanya satu transistor pada satu masa.
Prestasi tinggi adalah disebabkan oleh penukaran pantas komponen dan penggunaan tenaga yang lebih rendah kerana komponennya kecil dan berdekatan antara satu sama lain.Pada tahun 2006, luas cip berjulat dari beberapa milimeter persegi hingga 350mm², dan setiap mm² boleh mencapai satu juta transistor.