Atšķirība starp mikroshēmu un shēmas plati

Atšķirība starp mikroshēmu un shēmas plati:
Sastāvs ir atšķirīgs: Mikroshēma: tas ir veids, kā miniaturizēt shēmas (galvenokārt ietverot pusvadītāju ierīces, ieskaitot pasīvās sastāvdaļas utt.), un to bieži ražo uz pusvadītāju plāksnīšu virsmas.Integrētā shēma: maza elektroniska ierīce vai sastāvdaļa.
Dažādas ražošanas metodes: mikroshēma: izmantojiet monokristāla silīcija plāksni kā pamatslāni, pēc tam izmantojiet fotolitogrāfiju, dopingu, CMP un citas tehnoloģijas, lai izgatavotu tādus komponentus kā MOSFET vai BJT, un pēc tam izmantojiet plānās plēves un CMP tehnoloģijas, lai izveidotu vadus, lai skaidu ražošana ir pabeigta.
Integrētā shēma: izmantojot noteiktu procesu, tranzistori, rezistori, kondensatori, induktori un citi ķēdē nepieciešamie komponenti un vadi tiek savstarpēji savienoti, izgatavoti uz mazas vai vairākām mazām pusvadītāju mikroshēmām vai dielektriskiem substrātiem un pēc tam iepakoti caurules iekšpusē. apvalks.

iepazīstināt:
Pēc tranzistora izgudrošanas un masveida ražošanas tika plaši izmantoti dažādi cietvielu pusvadītāju komponenti, piemēram, diodes un tranzistori, kas aizstāja vakuuma lampu funkcijas un lomu ķēdēs.20. gadsimta vidū un beigās pusvadītāju ražošanas tehnoloģiju attīstība padarīja iespējamu integrētās shēmas.Izmantojiet atsevišķus atsevišķus elektroniskus komponentus, nevis manuāli montējot ķēdes.
Integrētās shēmas var integrēt lielu skaitu mikrotranzistoru nelielā mikroshēmā, kas ir milzīgs sasniegums.Integrēto shēmu masveida izgatavojamība, uzticamība un modulārā pieeja ķēžu projektēšanai nodrošināja ātru standartizētu integrālo shēmu pārņemšanu, nevis dizainu, izmantojot diskrētos tranzistorus.
Integrētajām shēmām ir divas galvenās priekšrocības salīdzinājumā ar diskrētiem tranzistoriem: izmaksas un veiktspēja.Zemās izmaksas ir saistītas ar faktu, ka mikroshēmā visas tās sastāvdaļas ir izdrukātas kā vienība ar fotolitogrāfijas palīdzību, nevis vienlaikus tiek izgatavots tikai viens tranzistors.
Augsto veiktspēju nodrošina ātra komponentu pārslēgšana un mazāks enerģijas patēriņš, jo komponenti ir mazi un atrodas tuvu viens otram.2006. gadā mikroshēmas laukums svārstījās no dažiem kvadrātmilimetriem līdz 350 mm², un katrs mm² varēja sasniegt vienu miljonu tranzistoru.