Y gwahaniaeth rhwng sglodion a bwrdd cylched

Y gwahaniaeth rhwng sglodyn a bwrdd cylched:
Mae'r cyfansoddiad yn wahanol: Sglodion: Mae'n ffordd o miniaturize cylchedau (yn bennaf gan gynnwys dyfeisiau lled-ddargludyddion, gan gynnwys cydrannau goddefol, ac ati), ac yn aml yn cael ei gynhyrchu ar wyneb wafferi lled-ddargludyddion.Cylchdaith Integredig: Dyfais neu gydran electronig fach.
Gwahanol ddulliau gweithgynhyrchu: sglodion: defnyddiwch wafer silicon grisial sengl fel yr haen sylfaen, yna defnyddiwch ffotolithograffeg, dopio, CMP a thechnolegau eraill i wneud cydrannau megis MOSFETs neu BJTs, ac yna defnyddio ffilm denau a thechnolegau CMP i wneud gwifrau, fel bod cynhyrchu sglodion yn cael ei gwblhau.
Cylched integredig: Gan ddefnyddio proses benodol, mae'r transistorau, gwrthyddion, cynwysorau, anwythyddion a chydrannau eraill a gwifrau sy'n ofynnol mewn cylched wedi'u rhyng-gysylltu â'i gilydd, wedi'u ffugio ar sglodion lled-ddargludyddion bach neu sawl bach neu swbstradau dielectrig, ac yna eu pecynnu mewn tu mewn i'r tiwb plisgyn.

cyflwyno:
Ar ôl i'r transistor gael ei ddyfeisio a'i fasgynhyrchu, defnyddiwyd gwahanol gydrannau lled-ddargludyddion cyflwr solet megis deuodau a transistorau yn eang, gan ddisodli swyddogaeth a rôl tiwbiau gwactod mewn cylchedau.Yng nghanol a diwedd yr 20fed ganrif, roedd cynnydd technoleg gweithgynhyrchu lled-ddargludyddion yn gwneud cylchedau integredig yn bosibl.Defnyddio cydrannau electronig arwahanol unigol yn hytrach na chydosod cylchedau â llaw.
Gall cylchedau integredig integreiddio nifer fawr o ficrotransistors i mewn i sglodyn bach, sy'n ddatblygiad enfawr.Roedd gweithgynhyrchu màs cylchedau integredig, dibynadwyedd, a'r dull modiwlaidd o ddylunio cylchedau yn sicrhau bod cylchedau integredig safonol yn cael eu mabwysiadu'n gyflym yn lle dyluniadau gan ddefnyddio transistorau arwahanol.
Mae gan gylchedau integredig ddwy brif fantais dros transistorau arwahanol: cost a pherfformiad.Mae'r gost isel oherwydd y ffaith bod gan y sglodyn ei holl gydrannau wedi'u hargraffu fel uned gan ffotolithograffeg, yn hytrach na gwneud dim ond un transistor ar y tro.
Mae'r perfformiad uchel oherwydd newid cyflym cydrannau a defnydd is o ynni oherwydd bod y cydrannau'n fach ac yn agos at ei gilydd.Yn 2006, roedd yr ardal sglodion yn amrywio o ychydig filimetrau sgwâr i 350mm², a gallai pob mm² gyrraedd miliwn o transistorau.