Rozdíl mezi čipem a obvodovou deskou

Rozdíl mezi čipem a obvodovou deskou:
Složení je různé: Čip: Jde o způsob miniaturizace obvodů (zejména včetně polovodičových součástek, včetně pasivních součástek atd.) a často se vyrábí na povrchu polovodičových waferů.Integrovaný obvod: Drobné elektronické zařízení nebo součást.
Různé výrobní metody: čip: jako základní vrstvu použijte monokrystalický křemíkový plátek, poté použijte fotolitografii, doping, CMP a další technologie k výrobě součástek, jako jsou MOSFET nebo BJT, a poté použijte technologie tenkého filmu a CMP k výrobě drátů, takže výroba čipů je dokončena.
Integrovaný obvod: Pomocí určitého procesu jsou tranzistory, rezistory, kondenzátory, induktory a další součásti a kabely potřebné v obvodu vzájemně propojeny, vyrobeny na malém nebo několika malých polovodičových čipech nebo dielektrických substrátech a poté zabaleny do trubice. skořápka.

představit:
Poté, co byl tranzistor vynalezen a masově vyráběn, byly široce používány různé polovodičové součástky v pevné fázi, jako jsou diody a tranzistory, které nahradily funkci a roli elektronek v obvodech.V polovině a na konci 20. století umožnil pokrok technologie výroby polovodičů integrované obvody.Používejte jednotlivé diskrétní elektronické součástky na rozdíl od ručního sestavování obvodů.
Integrované obvody mohou integrovat velké množství mikrotranzistorů do malého čipu, což je obrovský pokrok.Masová vyrobitelnost integrovaných obvodů, spolehlivost a modulární přístup k návrhu obvodů zajistily rychlé přijetí standardizovaných integrovaných obvodů namísto návrhů využívajících diskrétní tranzistory.
Integrované obvody mají oproti diskrétním tranzistorům dvě hlavní výhody: cenu a výkon.Nízká cena je způsobena skutečností, že čip má všechny své součásti vytištěné jako celek fotolitografií, spíše než vyrábět pouze jeden tranzistor najednou.
Vysoký výkon je dán rychlým spínáním komponent a nižší spotřebou energie, protože komponenty jsou malé a blízko sebe.V roce 2006 se plocha čipu pohybovala od několika čtverečních milimetrů do 350 mm² a každý mm² mohl dosáhnout jednoho milionu tranzistorů.